如何看待SK Hynix量产4D nand闪存？

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字，在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存，日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512G***、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

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三星***何时量产基于100层V-NAND闪存的SSD产品？

三星电子刚刚宣布，其已开始生产业界首批 100 层 V-NAND 闪存，并***在企业级 PC SSD 上***用。

鉴于 100 层 V-NAND 闪存单元只需经过单次蚀刻，新产品可兼顾速度、产量和能源效率，在市场上占据领先优势。

【资料图，来自：Samsung】

外媒 ZDNet 报道称，三星已经向某个未透露名称的客户供应 250GB SATA PC SSD 。

该公司将在今年下半年提升产能，并使用 512Gb 3-bit V-NAND 闪存来生产 SSD 和 eUFS 产品，以满足各种规格的新需求。

三星表示，其 100 层或第 6 代 V-NAND 闪存的写入延迟低至 450μs、读取响应时间为 45 μs 。

与 90 层 V-NAND 闪存相比，100 层 V-NAND 闪存不仅性能提升 10％，功耗还降低了 15% 。此外新工艺减少了生产步骤、缩减了芯片尺寸、并提升了 20% 的产量。

展望未来，三星***在移动和汽车领域部署全新的 V-NAND 闪存，以巩固其在闪存市场的领导地位。

此前，这家韩国科技巨头曾警告，在 2 季度财报发布前，该公司业绩表现仍存在着持续的不确定性，其中就包括日韩之间贸易摩擦所带来的紧张局势。

长江存储第四代闪存芯片几纳米？

14nm。

长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。

闪存颗粒并不像手机芯片那样，对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要，相反更大的制程，耐久度更高。flash本来就是消耗品，使用寿命是非常重要的。所以20nm制程足够了。